Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/202694| Title: | Уточнение критерия сильной локализации электронов на поверхности полупроводника |
| Other Titles: | Refinement of the criterion for strong localization of electrons on a semiconductor surface / T. T. Muratov |
| Authors: | Муратов, Т. Т. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Журнал Белорусского государственного университета. Физика = Journal of the Belarusian State University. Physics. - 2018. - № 2. - С. 117-124 |
| Abstract: | Анализируется возможность значительной локализации двумерного электронного газа на поверхности сильнолегированного полупроводника. Получена аналитическая формула для среднего сечения низкоэнергетического рассеяния приповерхностных электронов с учетом функции распределения Ферми – Дирака. Отмечается существенная особенность точки EF = 0 в квазидвумерных электронных системах, в отличие от их трехмерных аналогов. На основе правила Иоффе – Регеля и полученной формулы для среднего сечения рассеяния найден более точный, реалистичный критерий сильной локализации, чем тот, который был определен в других цитируемых работах. |
| Abstract (in another language): | Possibility of strong localization of the two-dimensional electron gas on the surface of the highly doped semiconductor is analyzed. Analytical formula for cross-section of low-energy scattering of surface electrons with take into account Fermi – Dirac’s distribution was obtained. Is noted about substantial feature of the point EF = 0 in quasi two-dimensional electrons systems than in its three-dimensional analogs. On the basis of Ioffe – Regel’s rule and formula obtained for average cross-section of scattering more precise realistic criterion of strong localization was obtained than it which has been obtained in other quoted articles. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/202694 |
| ISSN: | 2520-2243 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2018, №2 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 117-124.pdf | 1,82 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.