Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/202694
Title: Уточнение критерия сильной локализации электронов на поверхности полупроводника
Other Titles: Refinement of the criterion for strong localization of electrons on a semiconductor surface / T. T. Muratov
Authors: Муратов, Т. Т.
Issue Date: 2018
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Журнал Белорусского государственного университета. Физика = Journal of the Belarusian State University. Physics. - 2018. - № 2. - С. 117-124
Abstract: Анализируется возможность значительной локализации двумерного электронного газа на поверхности сильнолегированного полупроводника. Получена аналитическая формула для среднего сечения низкоэнергетического рассеяния приповерхностных электронов с учетом функции распределения Ферми – Дирака. Отмечается существенная особенность точки EF = 0 в квазидвумерных электронных системах, в отличие от их трехмерных аналогов. На основе правила Иоффе – Регеля и полученной формулы для среднего сечения рассеяния найден более точный, реалистичный критерий сильной локализации, чем тот, который был определен в других цитируемых работах.
Abstract (in another language): Possibility of strong localization of the two-dimensional electron gas on the surface of the highly doped semiconductor is analyzed. Analytical formula for cross-section of low-energy scattering of surface electrons with take into account Fermi – Dirac’s distribution was obtained. Is noted about substantial feature of the point EF = 0 in quasi two-dimensional electrons systems than in its three-dimensional analogs. On the basis of Ioffe – Regel’s rule and formula obtained for average cross-section of scattering more precise realistic criterion of strong localization was obtained than it which has been obtained in other quoted articles.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/202694
ISSN: 2520-2243
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:2018, №2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
117-124.pdf1,82 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.