Парамагнетизм модифицированных ионным облучением структур фоторезист-кремний

Оджаев, В. Б.; Карпович, В. А.; Просолович, В. С.; Лапчук, Н. М.; Олешкевич, А. Н.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/165120

Title:	Парамагнетизм модифицированных ионным облучением структур фоторезист-кремний
Authors:	Оджаев, В. Б. Карпович, В. А. Просолович, В. С. Лапчук, Н. М. Олешкевич, А. Н.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2016
Publisher:	Минск : Изд. центр БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 189–192.
Abstract:	В денной работе исследовалось бесконтактным методом ЭПР изменение сопротивления образцов фоторезистивных нанокомпозитов в зависимости от дозы имплантации ионов фосфора и бора.
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/165120
ISBN:	978-985-553-403-8
Sponsorship:	Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований.
Appears in Collections:	2016. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
С.189-192_Оджаев.pdf		468,06 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar