Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/165120Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | - |
| dc.contributor.author | Карпович, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Лапчук, Н. М. | - |
| dc.contributor.author | Олешкевич, А. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-01-13T12:32:36Z | - |
| dc.date.available | 2017-01-13T12:32:36Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 189–192. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-553-403-8 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/165120 | - |
| dc.description.abstract | В денной работе исследовалось бесконтактным методом ЭПР изменение сопротивления образцов фоторезистивных нанокомпозитов в зависимости от дозы имплантации ионов фосфора и бора. | ru |
| dc.description.sponsorship | Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : Изд. центр БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Парамагнетизм модифицированных ионным облучением структур фоторезист-кремний | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2016. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| С.189-192_Оджаев.pdf | 468,06 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.