Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/164194
Заглавие документа: Диффузионные характеристики кислородных димеров и комплексов вакансия – два атома кислорода в кремнии: данные ИК поглощения
Авторы: Мурин, Л. И.
Толкачева, Е. А.
Маркевич, В. П.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2016
Издатель: Минск : Изд. центр БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 171–174.
Аннотация: Методом ИК поглощения исследована кинетика отжига (трансформации) кислородных димеров (O2i) и комплексов вакансия – кислородный димер (VO2) в кристаллах кремния, обогащенных данными центрами путем предварительного облучения быстрыми электронами при повышенных температурах (300–400 ºС). На основе анализа экспериментальных данных определены коэффициенты диффузии O2i и VO2 и показано, что миграционная способность данных комплексов в области температур 300–500 ºС значительно превосходит таковую для междоузельных атомов кислорода.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/164194
ISBN: 978-985-553-403-8
Финансовая поддержка: Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований (грант Ф16М-047).
Располагается в коллекциях:2016. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
С.171-174_Мурин.pdf522,86 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.