Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/164194
Заглавие документа: | Диффузионные характеристики кислородных димеров и комплексов вакансия – два атома кислорода в кремнии: данные ИК поглощения |
Авторы: | Мурин, Л. И. Толкачева, Е. А. Маркевич, В. П. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2016 |
Издатель: | Минск : Изд. центр БГУ |
Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 171–174. |
Аннотация: | Методом ИК поглощения исследована кинетика отжига (трансформации) кислородных димеров (O2i) и комплексов вакансия – кислородный димер (VO2) в кристаллах кремния, обогащенных данными центрами путем предварительного облучения быстрыми электронами при повышенных температурах (300–400 ºС). На основе анализа экспериментальных данных определены коэффициенты диффузии O2i и VO2 и показано, что миграционная способность данных комплексов в области температур 300–500 ºС значительно превосходит таковую для междоузельных атомов кислорода. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/164194 |
ISBN: | 978-985-553-403-8 |
Финансовая поддержка: | Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований (грант Ф16М-047). |
Располагается в коллекциях: | 2016. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
С.171-174_Мурин.pdf | 522,86 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.