Logo BSU

Просмотр "2016. Материалы и структуры современной электроники" Заглавия

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 41 - 60 из 111 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2016Магнетизм нанокластеров 3d-металлов, полученных методом ионной имплантации в диэлектрической и полупроводниковой матрицахГоловчук, В. И.; Карпович, В. А.; Лукашевич, М. Г.; Харченко, А. А.; Хайбуллин, Р. И.; Оджаев, В. Б.
2016Междучиповые оптические межсоединения на основе кремниевых нано- и микроструктурЛазарук, С. К.; Лешок, А. А.; Долбик, А. В.; Лабунов, В. А.; Высоцкий, В. Б.; Шведов, С. В.
2016Методика электротепловой спектрометрии для исследования малых изменений теплового сопротивления полупроводниковых приборов при термоиспытанияхБумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Кононенко, В. К.; Нисс, В. С.; Керенцев, А. Ф.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А.
2016Моделированиe технологии формирования НЭМС-конструкцийЮхневич, А. В.; Майер, И. А.; Усенко, А. Е.
2016Моделирование ВАХ субмикронного КНИ-МОП-транзистора с учетом процесса ударной ионизацииБорздов, А. В.; Борздов, В. М.; Дорожкин, Н. Н.
2016Моделирование приборных структур на основе графенаАбрамов, И. И.; Лабунов, В. А.; Коломейцева, Н. В.; Романова, И. А.
2016Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из GaNМищенко, В. Н.
2016Моделирование шумовых характеристик субмикронного кремниевого диода со структурой n+-n-n+ многочастичным методом Монте-КарлоБорздов, А. В.; Борздов, В. М.; Кучинский, П. В.
2016Моделирование электронных свойств при поверхностном переносе в короткоканальных МОП-транзисторахЖевняк, О. Г.
2016Модификация структур фоторезист – кремний при высокоэнергетических воздействияхПросолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Янковский, Ю. Н.
2016Морфология поверхности пленок теллурида кадмия, полученных на кремниевой подложке методом вакуумного напыленияАкобирова, А. Т.; Головчук, В. И.; Лукашевич, М. Г.; Султонов, Н.; Хамрокулов, Р. Б.
2016На пути к коллоидной оптоэлектроникеГапоненко, С. В.
2016Наномодифицированные композиционные магнитные материалы и технологии их формованияТимошков, Ю. В.; Gao, Q. L.; Wang, Y.; Говор, Г. А.; Сакова, А. А.; Вечер, А. К.; Тимошков, В. Ю.
2016Новые аспекты ионной имплантацииХайбуллин, Р. И.
2016О корректности одной задачи диагностики электрофизических параметров прямозонных полупроводников методами катодолюминесцентной микроскопииТуртин, Д. В.; Степович, М. А.; Поляков, А. Н.
2016О некоторых результатах использования магнитоимпульсной обработки материалов для улучшения их магнитных характеристикШипко, М. Н.; Коровушкин, В. В.; Костишин, В. Г.; Староверов, Б. А.; Степович, М. А.
2016О применимости методов индентирования и склерометрии для измерения прочностных характеристик полимерных пленок на кремнииБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.
2016Оптимизация процесса химико-механической полировки вольфрама для формирования межсоединений субмикронных ИМСНаливайко, О. Ю.; Роговой, В. И.; Турцевич, А. С.
2016Оптическая спектроскопия тонких пленок Cu2ZnSnSe4Мудрый, А. В.; Бородавченко, О. М.; Живулько, В. Д.
2016Оптически прозрачные электропроводящие покрытия на основе наноструктурированных пленок алюминияКазаркин, Б. А.; Степанов, А. А.; Смирнов, А. Г.; Беляев, В. В.; Чаусов, Д. Н.; Безбородов, В. С.; Черник, А. А.; Жилинский, В. В.