Skip navigation
Главная страница
Вход
Язык
English
русский
ISSN 2519-4437
(online)
Электронная библиотека БГУ
Физический факультет
Даты публикации
Авторы
Заглавия
Темы
Поиск
Поиск:
Вся Электронная библиотека
Физический факультет
Выпускные работы студентов и магистрантов физического факультета
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
УЧЕБНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
запрос
Текущие фильтры:
Название
Автор
Тема
по дате выпуска
Вид документа
Равно
Содержит
ID
Не равно
Не содержит
Не ID
Название
Автор
Тема
по дате выпуска
Вид документа
Равно
Содержит
ID
Не равно
Не содержит
Не ID
Название
Автор
Тема
по дате выпуска
Вид документа
Равно
Содержит
ID
Не равно
Не содержит
Не ID
Название
Автор
Тема
по дате выпуска
Вид документа
Равно
Содержит
ID
Не равно
Не содержит
Не ID
Название
Автор
Тема
по дате выпуска
Вид документа
Равно
Содержит
ID
Не равно
Не содержит
Не ID
Начать новый поиск
Добавить фильтры:
Используйте фильтры для уточнения результатов поиска.
Название
Автор
Тема
по дате выпуска
Вид документа
Равно
Содержит
ID
Не равно
Не содержит
Не ID
Результаты 1-7 из 7.
назад
1
далее
Найденные документы:
Предварительный просмотр
Дата выпуска
Заглавие
Автор(ы)
2016
Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистора
Оджаев, В. Б.
;
Панфиленко, А. К.
;
Петлицкий, А. Н.
;
Просолович, В. С.
;
Шведов, С. В.
;
Филипеня, В. А.
;
Явид, В. Ю.
;
Янковский, Ю. Н.
;
Лановский, Р. А.
2020
Влияние ширины запрещенной зоны на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистора
Оджаев, В. Б.
;
Петлицкий, А. Н.
;
Пилипенко, В. А.
;
Просолович, В. С.
;
Филипеня, В. А.
;
Шестовский, Д. В.
;
Явид, В. Ю.
;
Янковский, Ю. Н.
2019
Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базы
Оджаев, В. Б.
;
Панфиленко, А. К.
;
Петлицкий, А. Н.
;
Пилипенко, В. А.
;
Просолович, В. С.
;
Филипеня, В. А.
;
Явид, В. Ю.
;
Янковский, Ю. Н.
2018
Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесей
Оджаев, В. Б.
;
Панфиленко, А. К.
;
Петлицкий, А. Н.
;
Пилипенко, В. А.
;
Просолович, В. С.
;
Филипеня, В. А.
;
Явид, В. Ю.
;
Янковский, Ю. Н.
2021
Влияние ионной имплантации азота на величину токов сток-исток силовых МОП-транзисторов
Оджаев, В. Б.
;
Петлицкий, А. Н.
;
Просолович, В. С.
;
Ковальчук, Н. С.
;
Соловьев, Я. А.
;
Филипеня, В. А.
;
Шестовский, Д. В.
;
Янковский, Ю. Н.
2021
Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодов
Оджаев, В. Б.
;
Петлицкий, А. Н.
;
Просолович, В. С.
;
Ковальчук, Н. С.
;
Филипеня, В. А.
;
Черный, В. В.
;
Шестовский, Д. В.
;
Явид, В. Ю.
;
Янковский, Ю. Н.
2021
Электрофизические параметры p–i–n-фотодиодов
Оджаев, В. Б.
;
Петлицкий, А. Н.
;
Просолович, В. С.
;
Филипеня, В. А.
;
Шестовский, Д. В.
;
Явид, В. Ю.
;
Янковский, Ю. Н.
;
Мавланов, Г. Х.
;
Исмайлов, Б. К.
;
Кенжаев, З. Т.
Просмотр
Автор
7
Петлицкий, А. Н.
7
Просолович, В. С.
6
Явид, В. Ю.
4
Шестовский, Д. В.
3
Панфиленко, А. К.
3
Пилипенко, В. А.
2
Ковальчук, Н. С.
1
Исмайлов, Б. К.
1
Кенжаев, З. Т.
1
Лановский, Р. А.
.
дальше >
Тема
7
ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ
по дате выпуска
3
2021
1
2020
1
2019
1
2018
1
2016