Электронная библиотека БГУ: 2015. Квантовая электроника

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

2015. Квантовая электроника : [164] Главная страница коллекции Статистика

Сборник содержит материалы X Международной научно-технической конференции по следующим научным направлениям: теоретические проблемы квантовой электроники; физика лазеров; системы и методы квантовой электроники; прикладные исследования; методические аспекты преподавания соответствующих дисциплин.

Квантовая электроника: Материалы X Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 9–13 нояб. 2015 г. – Минск : РИВШ, 2015. – 340 с. - ISBN 978-985-500-903-1

Редакционная коллегия:

М.М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова, Е.С. Дорогуш, Е. Д. Карих, В.К. Кононенко

Оргкомитет конференции:

М. М. Кугейко (председатель), Е. Д. Карих (зам. председателя), А. А. Афоненко (ученый секретарь), А. В. Баркова, Е. С. Воропай, С. В. Гапоненко, В. К. Гончаров, Е. С. Дорогуш, Н. С. Казак, В. К. Кононенко, П. В. Кучинский, И. С. Манак, В. И. Попечиц, В. С. Садов, Д. В. Ушаков, С. И. Чубаров, Г. П. Яблонский.

Программный комитет:

А. А. Афоненко, Е. С. Воропай, Е. Д. Карих, В. К. Кононенко, М. М. Кугейко, Г. П. Яблонский

При полном или частичном использовании материалов ссылка на сайт Электронной библиотеки БГУ (www.elib.bsu.by) обязательна.

Ресурсы коллекции (Сортировка по Дата поступления в По убыванию порядке): 101 по 120 из 164

< предыдущий следующий >

Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
2015	Принципы записи информации внутри оптически прозрачных материалов.	Вишневская, Е. В.; Людчик, О. Р.; Людчик, Ю. О.; Михей, В. Н.
2015	Светоизлучающие устройства для записи информации.	Митьковец, А. И.; Курилкина, С. Н.; Хило, Н. А.; Казак, Н. С.; Мащенко, А. Г.; Рыжевич, А. А.; Агабеков, В. Е.; Муравский, А. А.
2015	Обеспечение единства измерений в области лазерной и оптоэлектронной техники в Республике Беларусь.	Длугунович, В. А.; Ждановский, В. А.; Исаевич, А. В.; Крейдич, А. В.; Круплевич, Е. А.; Насенник, Л. Н.; Никоненко, С. В.; Таманович, В. В.; Холенков, А. В.
2015	Исследование начальных стадий роста пленок германия в горизонтальном реакторе пониженного давления.	Наливайко, О. Ю.; Турцевич, А. С.; Лепешкевич, Г. В.; Жигулин, Д. В.
2015	Моделирование методом Монте-Карло туннельного тока в субмикронных МОП-транзисторах.	Жевняк, О. Г.
2015	Моделирование дрейфовой скорости электронов в GaAs/AlxGa1-xAs гетероструктуре с использованием метода Монте-Карло.	Мищенко, В. Н.
2015	Определение полярного угла рассеяния электронов на ионизированной примеси в полупроводниках методом Монте-Карло.	Борздов, В. М.; Сперанский, Д. С.; Борздов, А. В.
2015	Анализ колориметрических характеристик LED излучателей белорусского рынка.	Гурский, А. Л.; Машедо, Н. В.
2015	Излучатель на основе мощной матрицы лазерных диодов.	Шабров, Д. В.; Кабанов, В. В.; Лебедок, Е. В.; Кабанов, Д. М.; Микаелян, Г. Т.; Буничев, А. П.
2015	Собственная энергия электронов при взаимодействии с фононами в двухподзонной системе.	Дрозд, А. Н.
2015	Схемы формирования комбинированной внешней обратной связи в инжекционном лазере.	Карих, Е. Д.
2015	Перестройка частоты генерации GaAs/AlGaAs квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона на основе трех квантовых ям при изменении молевого состава коллекторного барьера.	Ушаков, Д. В.; Садофьев, Ю. Г.
2015	Нерезонансное увеличение полосы прямой модуляции полупроводникового лазера в режиме оптической инжекции.	Дорогуш, Е. С.; Афоненко, А. А.
2015	Фазовая модуляция излучения лазерных диодов в режиме внешней оптической синхронизации.	Афоненко, А. А.; Дорогуш, Е. С.; Малышев, С. А.; Чиж, А. Л.
2015	Мощностные характеристики InGaAs/GaAs/InGaP-лазеров с вытекающей модой.	Афоненко, А. А.; Ушаков, Д. В.; Некоркин, С. М.; Звонков, Б. Н.; Байдусь, Н. В.; Вихрова, О. В.; Дикарева, Н. В.
2015	Лазерные характеристики гетероструктур A2B6 с одной вставкой квантовых точек Cd(Zn)Se/ZnSe в расширенном оптическом волноводе.	Войнилович, А. Г.; Павловский, В. Н.; Луценко, Е. В.; Яблонский, Г. П.; Сорокин, С. В.; Седова, И. В.; Гронин, С. В.; Климко, Г. В.; Иванов, С. В.
2015	Случайная генерация лазерного излучения на двух длинах волн в смеси микропорошков ZnSe и CdSe.	Леоненя, М. С.; Павловский, В. Н.; Яблонский, Г. П.
2015	Структура и фотолюминесценция кристаллического кремния с нанокристаллами InSb, сформированными высокодозной ионной имплантацией.	Комаров, Ф. Ф.; Романов, И. А.; Власукова, Л. А.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.
2015	Люминесценция гетероструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN, выращенных в различных условиях.	Ржеуцкий, Н. В.; Луценко, Е. В.; Павловский, В. Н.; Яблонский, Г. П.; Сахаров, А. В.; Лундин, В. В.; Заварин, Е. Е.; Николаев, А. Е.; Цацульников, А. Ф.
2015	Оптическое усиление в InGaN/GaN электролюминесцентных гетероструктурах, выращенных на кремниевых подложках.	Данильчик, А. В.; Ржеуцкий, Н. В.; Павловский, В. Н.; Луценко, Е. В.; Яблонский, Г. П.

Ресурсы коллекции (Сортировка по Дата поступления в По убыванию порядке): 101 по 120 из 164

< предыдущий следующий >

2015. Квантовая электроника : [164] Главная страница коллекции Статистика

Квантовая электроника: Материалы X Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 9–13 нояб. 2015 г. – Минск : РИВШ, 2015. – 340 с. - ISBN 978-985-500-903-1

Просмотр