Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/133750| Заглавие документа: | Оптическое усиление в InGaN/GaN электролюминесцентных гетероструктурах, выращенных на кремниевых подложках. |
| Авторы: | Данильчик, А. В. Ржеуцкий, Н. В. Павловский, В. Н. Луценко, Е. В. Яблонский, Г. П. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2015 |
| Издатель: | Минск : РИВШ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника: Материалы X Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 9–13 нояб. 2015 г. – Минск, 2015. – С. 81-82. |
| Аннотация: | Результаты измерений порогов и оптического усиления в гетероструктурах на кремниевой подложке свидетельствуют о достаточно высоком их качестве, сравнимом с лазерными свойствами гетероструктур на подложках сапфира. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/133750 |
| ISBN: | 978-985-500-903-1 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена в рамках ГПНИ «Электроника и фотоника 1.2.06». |
| Располагается в коллекциях: | 2015. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 081_Danilchik.pdf | 586,48 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.