Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/133750| Title: | Оптическое усиление в InGaN/GaN электролюминесцентных гетероструктурах, выращенных на кремниевых подложках. |
| Authors: | Данильчик, А. В. Ржеуцкий, Н. В. Павловский, В. Н. Луценко, Е. В. Яблонский, Г. П. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Issue Date: | 2015 |
| Publisher: | Минск : РИВШ |
| Citation: | Квантовая электроника: Материалы X Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 9–13 нояб. 2015 г. – Минск, 2015. – С. 81-82. |
| Abstract: | Результаты измерений порогов и оптического усиления в гетероструктурах на кремниевой подложке свидетельствуют о достаточно высоком их качестве, сравнимом с лазерными свойствами гетероструктур на подложках сапфира. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/133750 |
| ISBN: | 978-985-500-903-1 |
| Sponsorship: | Работа выполнена в рамках ГПНИ «Электроника и фотоника 1.2.06». |
| Appears in Collections: | 2015. Квантовая электроника |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 081_Danilchik.pdf | 586,48 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.