Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/133751
Title: Люминесценция гетероструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN, выращенных в различных условиях.
Authors: Ржеуцкий, Н. В.
Луценко, Е. В.
Павловский, В. Н.
Яблонский, Г. П.
Сахаров, А. В.
Лундин, В. В.
Заварин, Е. Е.
Николаев, А. Е.
Цацульников, А. Ф.
Keywords: ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Issue Date: 2015
Publisher: Минск : РИВШ
Citation: Квантовая электроника: Материалы X Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 9–13 нояб. 2015 г. – Минск, 2015. – С. 83-84.
Abstract: В работе исследовались люминесцентные свойства серии гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ), выращенными методом металлорганической газофазной эпитаксии с применением прерываний роста после осаждения слоев КЯ.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/133751
ISBN: 978-985-500-903-1
Sponsorship: Гранты БРФФИ и РФФИ (проекты №Ф14Р-074 и 14-02-9003214-Бел-а соответственно).
Appears in Collections:2015. Квантовая электроника

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
083_Rzheutskii.pdf735,55 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.