Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/133751| Title: | Люминесценция гетероструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN, выращенных в различных условиях. |
| Authors: | Ржеуцкий, Н. В. Луценко, Е. В. Павловский, В. Н. Яблонский, Г. П. Сахаров, А. В. Лундин, В. В. Заварин, Е. Е. Николаев, А. Е. Цацульников, А. Ф. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Issue Date: | 2015 |
| Publisher: | Минск : РИВШ |
| Citation: | Квантовая электроника: Материалы X Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 9–13 нояб. 2015 г. – Минск, 2015. – С. 83-84. |
| Abstract: | В работе исследовались люминесцентные свойства серии гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ), выращенными методом металлорганической газофазной эпитаксии с применением прерываний роста после осаждения слоев КЯ. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/133751 |
| ISBN: | 978-985-500-903-1 |
| Sponsorship: | Гранты БРФФИ и РФФИ (проекты №Ф14Р-074 и 14-02-9003214-Бел-а соответственно). |
| Appears in Collections: | 2015. Квантовая электроника |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 083_Rzheutskii.pdf | 735,55 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.