Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/133751Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Ржеуцкий, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Луценко, Е. В. | - |
| dc.contributor.author | Павловский, В. Н. | - |
| dc.contributor.author | Яблонский, Г. П. | - |
| dc.contributor.author | Сахаров, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Лундин, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Заварин, Е. Е. | - |
| dc.contributor.author | Николаев, А. Е. | - |
| dc.contributor.author | Цацульников, А. Ф. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-01-06T08:20:01Z | - |
| dc.date.available | 2016-01-06T08:20:01Z | - |
| dc.date.issued | 2015 | - |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника: Материалы X Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 9–13 нояб. 2015 г. – Минск, 2015. – С. 83-84. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-500-903-1 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/133751 | - |
| dc.description.abstract | В работе исследовались люминесцентные свойства серии гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ), выращенными методом металлорганической газофазной эпитаксии с применением прерываний роста после осаждения слоев КЯ. | ru |
| dc.description.sponsorship | Гранты БРФФИ и РФФИ (проекты №Ф14Р-074 и 14-02-9003214-Бел-а соответственно). | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : РИВШ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
| dc.title | Люминесценция гетероструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN, выращенных в различных условиях. | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2015. Квантовая электроника | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 083_Rzheutskii.pdf | 735,55 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.