Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/133751| Заглавие документа: | Люминесценция гетероструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN, выращенных в различных условиях. |
| Авторы: | Ржеуцкий, Н. В. Луценко, Е. В. Павловский, В. Н. Яблонский, Г. П. Сахаров, А. В. Лундин, В. В. Заварин, Е. Е. Николаев, А. Е. Цацульников, А. Ф. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2015 |
| Издатель: | Минск : РИВШ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника: Материалы X Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 9–13 нояб. 2015 г. – Минск, 2015. – С. 83-84. |
| Аннотация: | В работе исследовались люминесцентные свойства серии гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ), выращенными методом металлорганической газофазной эпитаксии с применением прерываний роста после осаждения слоев КЯ. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/133751 |
| ISBN: | 978-985-500-903-1 |
| Финансовая поддержка: | Гранты БРФФИ и РФФИ (проекты №Ф14Р-074 и 14-02-9003214-Бел-а соответственно). |
| Располагается в коллекциях: | 2015. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 083_Rzheutskii.pdf | 735,55 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.