Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/133755| Заглавие документа: | Мощностные характеристики InGaAs/GaAs/InGaP-лазеров с вытекающей модой. |
| Авторы: | Афоненко, А. А. Ушаков, Д. В. Некоркин, С. М. Звонков, Б. Н. Байдусь, Н. В. Вихрова, О. В. Дикарева, Н. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2015 |
| Издатель: | Минск : РИВШ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника: Материалы X Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 9–13 нояб. 2015 г. – Минск, 2015. – С. 92-94. |
| Аннотация: | В работе проанализированы мощностные характеристики лазеров с 4, 6, 8 и 10 квантовыми ямами в активной области. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/133755 |
| ISBN: | 978-985-500-903-1 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена при поддержке РФФИ грант 14-02-31287 мол_а. |
| Располагается в коллекциях: | 2015. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 092_Afonenko-1.pdf | 542,87 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.