Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/133755Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Афоненко, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Ушаков, Д. В. | - |
| dc.contributor.author | Некоркин, С. М. | - |
| dc.contributor.author | Звонков, Б. Н. | - |
| dc.contributor.author | Байдусь, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Вихрова, О. В. | - |
| dc.contributor.author | Дикарева, Н. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-01-06T08:46:02Z | - |
| dc.date.available | 2016-01-06T08:46:02Z | - |
| dc.date.issued | 2015 | - |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника: Материалы X Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 9–13 нояб. 2015 г. – Минск, 2015. – С. 92-94. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-500-903-1 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/133755 | - |
| dc.description.abstract | В работе проанализированы мощностные характеристики лазеров с 4, 6, 8 и 10 квантовыми ямами в активной области. | ru |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена при поддержке РФФИ грант 14-02-31287 мол_а. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : РИВШ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
| dc.title | Мощностные характеристики InGaAs/GaAs/InGaP-лазеров с вытекающей модой. | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2015. Квантовая электроника | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 092_Afonenko-1.pdf | 542,87 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.