Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/133755| Title: | Мощностные характеристики InGaAs/GaAs/InGaP-лазеров с вытекающей модой. |
| Authors: | Афоненко, А. А. Ушаков, Д. В. Некоркин, С. М. Звонков, Б. Н. Байдусь, Н. В. Вихрова, О. В. Дикарева, Н. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Issue Date: | 2015 |
| Publisher: | Минск : РИВШ |
| Citation: | Квантовая электроника: Материалы X Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 9–13 нояб. 2015 г. – Минск, 2015. – С. 92-94. |
| Abstract: | В работе проанализированы мощностные характеристики лазеров с 4, 6, 8 и 10 квантовыми ямами в активной области. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/133755 |
| ISBN: | 978-985-500-903-1 |
| Sponsorship: | Работа выполнена при поддержке РФФИ грант 14-02-31287 мол_а. |
| Appears in Collections: | 2015. Квантовая электроника |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 092_Afonenko-1.pdf | 542,87 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.