Logo BSU

Просмотр Авторы Телеш, Е. В.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 11 из 11
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2025Влияние дозы имплантации ионов сурьмы (Е = 60 кэВ) на парамагнетизм пленок ПЭТФОлешкевич, А. Н.; Оджаев, В. Б.; Лапчук, Т. М.; Телеш, Е. В.; Лапчук, Н. М.; Никонович, Н. А.; Клепицкая, Е. И.
2022Влияние ионной бомбардировки пленки металла на электрофизические характеристики гетероструктур Ni/n–n+-GaAsТелеш, Е. В.
2016Исследование термостойкости гетероструктур «диэлектрик – GaAs»Телеш, Е. В.
2014Исследование характеристик диодов с барьером Шоттки TiB2/ n-GaAsТелеш, Е. В.
2020Исследование электрофизических параметров тонкопленочных структур HfO2/Si, полученных реактивным ионно-лучевым распылениемЗырянова, А. С.; Телеш, Е. В.
2025Пассивация активных структур интегральных схем на арсениде галлия c применением покрытий из собственных оксидовТелеш, Е. В.
2019Страны БРИКС в мировой экономике: сравнительный анализТелеш, Е. В.
2016Формирование изоляции мезаструктур интегральных схем на арсениде галлияТелеш, Е. В.
2014Формирование контактных слоев из диборида титана для приборов с барьером Шоттки на арсениде галлияТелеш, Е. В.
2020Формирование тонкопленочных структур SiOF / Si прямым осаждением из ионных пучковТелеш, Е. В.
2022Электрофизические характеристики наноразмерных пленок меди, пoлученных прямым осаждением из ионных пучковТелеш, Е. В.; Гутенко, Н. Д.