Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257264| Заглавие документа: | Исследование электрофизических параметров тонкопленочных структур HfO2/Si, полученных реактивным ионно-лучевым распылением |
| Другое заглавие: | Investigation of the electrophysical parameters of HfO2/Si thin film structures obtained by reactive ion beam sputtering / A. S. Zyrianova, E. V. Telesh |
| Авторы: | Зырянова, А. С. Телеш, Е. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 51-55. |
| Аннотация: | Исследовано влияние состава рабочего газа, температуры подложки, потенциала мишени и электрофизические характеристики тонких пленок диоксида гафния на кремниевой подложке, полученных реактивным ионно-лучевым распылением металлической мишени. Установлено, что при увеличении парциального давления кислорода с 2,52·10-2 до 5,85·10-2 Па диэлектрическая проницаемость снижается почти в 2 раза. При повышении температуры подложки диэлектрическая проницаемость увеличивается, однако при этом резко увеличиваются диэлектрические потери, а также наблюдается снижение удельного объемного сопротивления. Эти процессы могут быть связаны с десорбцией кислорода из растущей пленки HfO2. При увеличении потенциала мишени от 40 до 80 В происходило значительное снижение диэлектрических потерь, при этом рост потенциала от 0 до 40 В приводит к резкому увеличению удельного объемного сопротивления (почти в 5 раз), что свидетельствует об интенсификации взаимодействия между кислородом и гафнием |
| Аннотация (на другом языке): | The effect of the composition of the working gas, the substrate temperature and the target potential and the electrophysical characteristics of thin films of hafnium dioxide on a silicon substrate, obtained by reactive ion-beam sputtering of a metal target, has been studied. It has been established that with an increase in the partial pressure of oxygen from 2.52·10-2 to 5.85·10-2 Pa, the dielectric constant decreases by almost 2 times. With an increase in the substrate temperature, the dielectric constant increases, but at the same time the dielectric losses sharply increase, and a decrease in the specific volume resistance is also observed. These processes can be associated with the desorption of oxygen from the growing HfO2 film. At a target potential of Um = 40–80 V, a significant decrease in dielectric losses occurred, and at Um = 40 V, a sharp increase in the specific volume resistance (almost 5 times) was observed, which indicates an intensification of the interaction between oxygen and hafnium |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257264 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.