Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/107991| Заглавие документа: | Исследование характеристик диодов с барьером Шоттки TiB2/ n-GaAs |
| Авторы: | Телеш, Е. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2014 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Аннотация: | В работе исследовались характеристики диодов с барьером Шоттки TiB2/n-GaAs. Для формирования диодов с барьером Шоттки непланарной конструкции применялись эпитаксиальные структуры GaAs, выращенные на высоколегированной подложке n–n+ типа АГЭ ЕТО.035.026 ТУ. Толщина активного слоя составляла 0,3–0,5 мкм, а концентрация электронов (4–8)•10^16 см-3, подвижность 4500 В•см2•с. Омические контакты к n+-подложке формировали на основе сплава Ag-Sn (90:10). Установлено, что происходит существенное улучшение прямых ветвей ВАХ (увеличивается прямое напряжение и ток). Обратные ветви вольтамперной характеристики меняются незначительно. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/107991 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
| Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| p.90-92.pdf | 230,61 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.