Исследование характеристик диодов с барьером Шоттки TiB2/ n-GaAs

Abstract

В работе исследовались характеристики диодов с барьером Шоттки TiB2/n-GaAs. Для формирования диодов с барьером Шоттки непланарной конструкции применялись эпитаксиальные структуры GaAs, выращенные на высоколегированной подложке n–n+ типа АГЭ ЕТО.035.026 ТУ. Толщина активного слоя составляла 0,3–0,5 мкм, а концентрация электронов (4–8)•10^16 см-3, подвижность 4500 В•см2•с. Омические контакты к n+-подложке формировали на основе сплава Ag-Sn (90:10). Установлено, что происходит существенное улучшение прямых ветвей ВАХ (увеличивается прямое напряжение и ток). Обратные ветви вольтамперной характеристики меняются незначительно.