Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292846| Заглавие документа: | Влияние ионной бомбардировки пленки металла на электрофизические характеристики гетероструктур Ni/n–n+-GaAs |
| Другое заглавие: | Effect of ion bombardment of a metal film on the electrophysical characteristics of Ni/n–n+-GaAs heterostructures / E. V. Telesh |
| Авторы: | Телеш, Е. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 301-304. |
| Аннотация: | Проведено исследование влияния энергии и тока ионов аргона при бомбардировке растущей пленки никеля на электрофизические характеристики гетероструктур Ni/n–n+-GaAs. Перед нанесением металла осуществлялась ионная очистка поверхности арсенида галлия в течение 10 минут. При токе ионов свыше 45 мкА и ускоряющем напряжении 1,4 кВ происходило некоторое увеличение высоты барьера, что может быть связано с увеличением степени аморфизации приповерхностной области арсенида галлия. Установлено, что высота барьера монотонно росла от 0,372 до 0,399 эВ при увеличении ускоряющего напряжения с 1,4 до 3,0 кВ, что можно объяснить аморфизацией приповерхностного слоя полупроводника на большую глубину. Высокие значения коэффициент идеальности обусловлены наличием глубоких состояний, вызванных туннелированием электронов и рекомбинационными механизмами |
| Аннотация (на другом языке): | The effect of the energy and current of argon ions upon bombardment of a growing nickel film on the electrical characteristics of Ni/n–n+-GaAs heterostructures has been studied. Before metal deposition, ion cleaning of the gallium arsenide surface was carried out for 10 minutes. At an ion current of more than 45 μA and an accelerating voltage of 1.4 kV, there was a slight increase in the barrier height, which may be due to an increase in the degree of amorphization of the near-surface region of gallium arsenide. It was found that the barrier height increased monotonically from 0.372 to 0.399 eV with an increase in the accelerating voltage from 1.4 to 3.0 kV, which can be explained by amorphization of the near-surface layer of the semiconductor to a greater depth. The high values of the ideality coefficient are due to the presence of deep states caused by electron tunneling and recombination mechanism |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292846 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 301-304.pdf | 464,15 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.