Влияние ионной бомбардировки пленки металла на электрофизические характеристики гетероструктур Ni/n–n+-GaAs

Abstract

Проведено исследование влияния энергии и тока ионов аргона при бомбардировке растущей пленки никеля на электрофизические характеристики гетероструктур Ni/n–n+-GaAs. Перед нанесением металла осуществлялась ионная очистка поверхности арсенида галлия в течение 10 минут. При токе ионов свыше 45 мкА и ускоряющем напряжении 1,4 кВ происходило некоторое увеличение высоты барьера, что может быть связано с увеличением степени аморфизации приповерхностной области арсенида галлия. Установлено, что высота барьера монотонно росла от 0,372 до 0,399 эВ при увеличении ускоряющего напряжения с 1,4 до 3,0 кВ, что можно объяснить аморфизацией приповерхностного слоя полупроводника на большую глубину. Высокие значения коэффициент идеальности обусловлены наличием глубоких состояний, вызванных туннелированием электронов и рекомбинационными механизмами