Logo BSU

Просмотр Авторы Одринский, А. П.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 12 из 12
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2013Анализ перезарядки глубокоуровневого дефекта в полуизолирующем GaAsОдринский, А. П.
2016Аномалии кинетики фотоотклика кристалла сегнетоэлектрика – полупроводника TlGaSe2Одринский, А. П.; Seyidov, M. H. Yu; Suleymanov, R. A.; Мамедов, Т. Г.; Алиева, В. Б.
2018Влияние легирования бором на термоделокализацию носителей заряда в сегнетоэлектрике - полупроводнике TlInS2Одринский, А. П.; Seyidov, M. H. Yu.; Наджафов, А. И.; Aliyeva, V. B.
2023Исследование термоделокализации заряда монокристалла TlGaSe2 в области температуры 220-260 КОдринский, А. П.
2015Модификация вклада в релаксацию фотоотклика термоэмиссии с дефектов в электретном состоянии монокристалла TlGaSe2.Одринский, А. П.; Мамедов, Т. Г.; Seyidov, М. H. Yu.; Алиева, В. Б.
2020О механизме формирования электрической неоднородности кристалла сегнетоэлектрика-полупроводникаОдринский, А. П.
2014Особенности релаксации фототока синтетического НРНТ алмаза в области температур 420 – 540 КОдринский, А. П.; Казючиц, Н. М.; Макаренко, Л. Ф.
2012Фотоэлектрическая нестационарная спектроскопия сегнетоэлектрика – полупроводника TLGASE2Одринский, А. П.; Grivickas, V.; Bikbajevas, V.; Gulbinas, K.
2022Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия кристалла TlGaSe2, легированного алюминиемОдринский, А. П.
2008Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия монокристаллов GaSeAllakhverdiev, K. R.; Бикбаевас, В.; Гривицкас, В.; Одринский, А. П.; Salaev, Е. Yu.; Тарасик, М. И.; Федотов, А. К.
2010Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия слоистых монокристаллов TlInS2.Одринский, А. П.; Seyidov, М. H. Yu.; Mammadov, T. G.
2017Электрическая неоднородность и аномалии фотоотклика слоистого кристалла TlGaSe2Одринский, А. П.; Seyidov, M.-H. Yu; Suleymanov, R. A.