Browsing by Author Одринский, А. П.
Showing results 1 to 12 of 12
Preview | Issue Date | Title | Author(s) |
| 2013 | Анализ перезарядки глубокоуровневого дефекта в полуизолирующем GaAs | Одринский, А. П. |
| 2016 | Аномалии кинетики фотоотклика кристалла сегнетоэлектрика – полупроводника TlGaSe2 | Одринский, А. П.; Seyidov, M. H. Yu; Suleymanov, R. A.; Мамедов, Т. Г.; Алиева, В. Б. |
| 2018 | Влияние легирования бором на термоделокализацию носителей заряда в сегнетоэлектрике - полупроводнике TlInS2 | Одринский, А. П.; Seyidov, M. H. Yu.; Наджафов, А. И.; Aliyeva, V. B. |
| 2023 | Исследование термоделокализации заряда монокристалла TlGaSe2 в области температуры 220-260 К | Одринский, А. П. |
| 2015 | Модификация вклада в релаксацию фотоотклика термоэмиссии с дефектов в электретном состоянии монокристалла TlGaSe2. | Одринский, А. П.; Мамедов, Т. Г.; Seyidov, М. H. Yu.; Алиева, В. Б. |
| 2020 | О механизме формирования электрической неоднородности кристалла сегнетоэлектрика-полупроводника | Одринский, А. П. |
| 2014 | Особенности релаксации фототока синтетического НРНТ алмаза в области температур 420 – 540 К | Одринский, А. П.; Казючиц, Н. М.; Макаренко, Л. Ф. |
| 2012 | Фотоэлектрическая нестационарная спектроскопия сегнетоэлектрика – полупроводника TLGASE2 | Одринский, А. П.; Grivickas, V.; Bikbajevas, V.; Gulbinas, K. |
| 2022 | Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия кристалла TlGaSe2, легированного алюминием | Одринский, А. П. |
| 2008 | Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия монокристаллов GaSe | Allakhverdiev, K. R.; Бикбаевас, В.; Гривицкас, В.; Одринский, А. П.; Salaev, Е. Yu.; Тарасик, М. И.; Федотов, А. К. |
| 2010 | Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия слоистых монокристаллов TlInS2. | Одринский, А. П.; Seyidov, М. H. Yu.; Mammadov, T. G. |
| 2017 | Электрическая неоднородность и аномалии фотоотклика слоистого кристалла TlGaSe2 | Одринский, А. П.; Seyidov, M.-H. Yu; Suleymanov, R. A. |