Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215228| Заглавие документа: | Влияние легирования бором на термоделокализацию носителей заряда в сегнетоэлектрике - полупроводнике TlInS2 |
| Другое заглавие: | Effect of Bor doping on charge - carriers thermal delocalization in ferroelectric - semiconductor TlInS2 / A. P. Odrinsky, M. H. Yu Seyidov, A. I. Nadjafov, V. B. Aliyeva |
| Авторы: | Одринский, А. П. Seyidov, M. H. Yu. Наджафов, А. И. Aliyeva, V. B. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 187-192. |
| Аннотация: | Представлены результаты исследования центров локализации заряда (ЦЛ) легированного бором кристалла сегнетоэлектрика - полупроводника TlInS2 методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS). Обсуждаются особенности регистрации термоделокализации носителей заряда в области температуры фазовых переходов (ФП), в сравнении с нелегированным кристаллом и TlInS2:La, и их связь с проявлением у TlInS2:B свойств релаксора. |
| Аннотация (на другом языке): | Results of charge localization centers (LC) investigation in the TlInS2 crystal of ferroelectric - semiconductor with boron dopant by photo-induced current transient spectroscopy (PICTS) technique are presented. Features of charge – carriers thermal delocalization registration in the temperature region of phase transitions (PT) are discussed with comparison to TlInS2:La and not doped crystals, and their connection with relaxor properties of TlInS2:B. |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215228 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 187-192.pdf | 397,31 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.