Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215228Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Одринский, А. П. | - |
| dc.contributor.author | Seyidov, M. H. Yu. | - |
| dc.contributor.author | Наджафов, А. И. | - |
| dc.contributor.author | Aliyeva, V. B. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-02-21T13:28:18Z | - |
| dc.date.available | 2019-02-21T13:28:18Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 187-192. | - |
| dc.identifier.isbn | 978-985-566-671-5 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215228 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | - |
| dc.description.abstract | Представлены результаты исследования центров локализации заряда (ЦЛ) легированного бором кристалла сегнетоэлектрика - полупроводника TlInS2 методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS). Обсуждаются особенности регистрации термоделокализации носителей заряда в области температуры фазовых переходов (ФП), в сравнении с нелегированным кристаллом и TlInS2:La, и их связь с проявлением у TlInS2:B свойств релаксора. | - |
| dc.language.iso | ru | - |
| dc.publisher | Минск : БГУ | - |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | - |
| dc.title | Влияние легирования бором на термоделокализацию носителей заряда в сегнетоэлектрике - полупроводнике TlInS2 | - |
| dc.title.alternative | Effect of Bor doping on charge - carriers thermal delocalization in ferroelectric - semiconductor TlInS2 / A. P. Odrinsky, M. H. Yu Seyidov, A. I. Nadjafov, V. B. Aliyeva | - |
| dc.type | conference paper | - |
| dc.description.alternative | Results of charge localization centers (LC) investigation in the TlInS2 crystal of ferroelectric - semiconductor with boron dopant by photo-induced current transient spectroscopy (PICTS) technique are presented. Features of charge – carriers thermal delocalization registration in the temperature region of phase transitions (PT) are discussed with comparison to TlInS2:La and not doped crystals, and their connection with relaxor properties of TlInS2:B. | - |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 187-192.pdf | 397,31 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.