Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215228
Title: | Влияние легирования бором на термоделокализацию носителей заряда в сегнетоэлектрике - полупроводнике TlInS2 |
Other Titles: | Effect of Bor doping on charge - carriers thermal delocalization in ferroelectric - semiconductor TlInS2 / A. P. Odrinsky, M. H. Yu Seyidov, A. I. Nadjafov, V. B. Aliyeva |
Authors: | Одринский, А. П. Seyidov, M. H. Yu. Наджафов, А. И. Aliyeva, V. B. |
Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Issue Date: | 2018 |
Publisher: | Минск : БГУ |
Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 187-192. |
Abstract: | Представлены результаты исследования центров локализации заряда (ЦЛ) легированного бором кристалла сегнетоэлектрика - полупроводника TlInS2 методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS). Обсуждаются особенности регистрации термоделокализации носителей заряда в области температуры фазовых переходов (ФП), в сравнении с нелегированным кристаллом и TlInS2:La, и их связь с проявлением у TlInS2:B свойств релаксора. |
Abstract (in another language): | Results of charge localization centers (LC) investigation in the TlInS2 crystal of ferroelectric - semiconductor with boron dopant by photo-induced current transient spectroscopy (PICTS) technique are presented. Features of charge – carriers thermal delocalization registration in the temperature region of phase transitions (PT) are discussed with comparison to TlInS2:La and not doped crystals, and their connection with relaxor properties of TlInS2:B. |
Description: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215228 |
ISBN: | 978-985-566-671-5 |
Appears in Collections: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
187-192.pdf | 397,31 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.