Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215228
Title: Влияние легирования бором на термоделокализацию носителей заряда в сегнетоэлектрике - полупроводнике TlInS2
Other Titles: Effect of Bor doping on charge - carriers thermal delocalization in ferroelectric - semiconductor TlInS2 / A. P. Odrinsky, M. H. Yu Seyidov, A. I. Nadjafov, V. B. Aliyeva
Authors: Одринский, А. П.
Seyidov, M. H. Yu.
Наджафов, А. И.
Aliyeva, V. B.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2018
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 187-192.
Abstract: Представлены результаты исследования центров локализации заряда (ЦЛ) легированного бором кристалла сегнетоэлектрика - полупроводника TlInS2 методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS). Обсуждаются особенности регистрации термоделокализации носителей заряда в области температуры фазовых переходов (ФП), в сравнении с нелегированным кристаллом и TlInS2:La, и их связь с проявлением у TlInS2:B свойств релаксора.
Abstract (in another language): Results of charge localization centers (LC) investigation in the TlInS2 crystal of ferroelectric - semiconductor with boron dopant by photo-induced current transient spectroscopy (PICTS) technique are presented. Features of charge – carriers thermal delocalization registration in the temperature region of phase transitions (PT) are discussed with comparison to TlInS2:La and not doped crystals, and their connection with relaxor properties of TlInS2:B.
Description: Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215228
ISBN: 978-985-566-671-5
Appears in Collections:2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
187-192.pdf397,31 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.