Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329547
Заглавие документа: Кинетическая спектроскопия как метод изучения электрической активности 2-D структурированных сегнетоэлектриков-полупроводников
Другое заглавие: Kinetic spectroscopy as the method for study of electric activity in 2-D structured ferroelectrics-semiconductors / A. P. Odrinsky
Авторы: Одринский, А. П.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2025
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 135-138.
Аннотация: Исследования электрической активности центров локализации заряда в слоистых кристаллах сегнетоэлектриков-полупроводников TlGaSe2 и TlInS2 на основе кинетической спектроскопии релаксации фототока обнаружили электрическую активность в кристалле, формально с центрами не связанную. Описаны внесенные изменения кинетической спектроскопии релаксации фототока, позволившие адаптировать кинетическую спектроскопию релаксации фототока для изучения такой активности. Также приведены результаты исследования эволюции реакции кристалла TlGaSe2 на свет в изотермическом режиме в области температуры действия фотогальванической ЭДС как пример применения развитой методики
Аннотация (на другом языке): Studying of electric activity of the centers of a charge localization in layered crystals of ferroelectrics-semiconductors TlGaSe2 and TlInS2 on the basis of kinetic spectroscopy of a photocurrent relaxation have found out electric activity in a crystal, that is not connected with the centers. Introduced changes of kinetic spectroscopy of a relaxation of the photo-current are described, that are allowed to adapt kinetic spectroscopy of a relaxation of a photocurrent for studying such activity. Also the results of research of evolution of reaction of crystal TlGaSe2 on light in an isothermal mode are presented in temperature region of action of photogalvanic EMF as an example of application of the advanced technique
Доп. сведения: Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329547
ISBN: 978-985-881-739-8
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Располагается в коллекциях:2024. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
135-138.pdf411,94 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.