Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329547
Title: | Кинетическая спектроскопия как метод изучения электрической активности 2-D структурированных сегнетоэлектриков-полупроводников |
Other Titles: | Kinetic spectroscopy as the method for study of electric activity in 2-D structured ferroelectrics-semiconductors / A. P. Odrinsky |
Authors: | Одринский, А. П. |
Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Issue Date: | 2025 |
Publisher: | Минск : БГУ |
Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 135-138. |
Abstract: | Исследования электрической активности центров локализации заряда в слоистых кристаллах сегнетоэлектриков-полупроводников TlGaSe2 и TlInS2 на основе кинетической спектроскопии релаксации фототока обнаружили электрическую активность в кристалле, формально с центрами не связанную. Описаны внесенные изменения кинетической спектроскопии релаксации фототока, позволившие адаптировать кинетическую спектроскопию релаксации фототока для изучения такой активности. Также приведены результаты исследования эволюции реакции кристалла TlGaSe2 на свет в изотермическом режиме в области температуры действия фотогальванической ЭДС как пример применения развитой методики |
Abstract (in another language): | Studying of electric activity of the centers of a charge localization in layered crystals of ferroelectrics-semiconductors TlGaSe2 and TlInS2 on the basis of kinetic spectroscopy of a photocurrent relaxation have found out electric activity in a crystal, that is not connected with the centers. Introduced changes of kinetic spectroscopy of a relaxation of the photo-current are described, that are allowed to adapt kinetic spectroscopy of a relaxation of a photocurrent for studying such activity. Also the results of research of evolution of reaction of crystal TlGaSe2 on light in an isothermal mode are presented in temperature region of action of photogalvanic EMF as an example of application of the advanced technique |
Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329547 |
ISBN: | 978-985-881-739-8 |
Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Appears in Collections: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
135-138.pdf | 411,94 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.