Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Гайдук, П. И.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 60 - 79 из 119 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2007Распад пересыщенных сплавов SiO2(Ge) при термической обработкеГайдук, А. П.; Ларсен, А. Н.; Шевалье, Ж.; Гайдук, П. И.
2000Самоорганизация квантовых точек GeAs при релаксации имплантированных Sio.75Geo.25 сплавовГайдук, П. И.
2019Самоорганизация нано-пустот в слоях SiSn при «горячей» ионной имплантацииГайдук, П. И.
2016Самоорганизация нанопустот в упруго-деформированных структурах SiGe(Sn) при ионном облученииГайдук, П. И.
2010Свойства фотодиодных структур на основе сплавов SiGe, выращенных методом МЛЭГайдук, П. И.; Зайков, В. А.; Казючиц, Н. М.; Русецкий, М. С.
2018Сдвиг полос комбинационного рассеяния света в твердых растворах кремний – германий при изменении их компонентного состава имплантацией ионов никеляПокотило, Ю. М.; Петух, А. Н.; Смирнова, О. Ю.; Гайдук, П. И.; Маркевич, В. П.; Королик, О. В.; Мазаник, А. В.; Злоцкий, С. В.
2022Сегрегационно-индуцированное формирование нанокристаллов Ge в оксиде кремнияНаливайко, О. Ю.; Турцевич, А. С.; Плебанович, В. И.; Гайдук, П. И.
2013Сегрегация германия при наноимпульсном лазерном воздействии на эпитаксиальные слои SiGe/SiПрокопьев, С. Л.; Ивлев, Г. Д.; Гайдук, П. И.
2020Сегрегация углерода и преципитация SiC в упруго-деформированых слоях Si/SiGe(SiSn)/SiГайдук, П. И.
2023Спектры пропускания периодических структур Si/SiO2/Si3N4/Si/Al с окошечным поверхностным слоемМухаммад, А. И.; Гайдук, П. И.
2022Сравнительное исследование барьерных структур SiC/Si и Pt2Si/SiC/SiПолонский, Н. В.; Лобанок, М. В.; Гайдук, П. И.
2008Структура и фазовый состав тонких пленок SiGe сплавов, полученных методом газофазного осаждения при пониженном давленииЗайков, В. А.; Новиков, А. Г.; Наливайко, О. Ю.; Гайдук, П. И.; Борисевич, В. М.
1986Структура и электрофизические свойства кремния после имплантации сурьмы и импульсного отжига под слоем анодного окислаГайдук, П. И.; Комаров, Ф. Ф.; Соловьев, В. С.
2006Структура слоев кремния, легированного железом или эрбием, после облучения мощными лазерными импульсамиГайдук, П. И.; Баталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Ивлев, Г. Д.
2008Структурные и сенсорные свойства слоев SnO2, сформированных магнетронным распылениемПрокопьев, С. Л.; Кожевко, А. И.; Барташевич, С. А.; Гайдук, П. И.
2010СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СЛОЕВ ПОЛИ-Ge ПОСЛЕ ИМПЛАНТАЦИИ И ПОСЛЕДУЮЩЕГО ОТЖИГАЗайков, В. А.; Гайдук, П. И.; Новиков, А. Г.; Прокопьев, С. Л.; Наливайко, О. Ю.; Пшеничный, Е. Н.
2008Структурные и электрофизические свойства тонких Si(1-x)Ge(x) пленок после имплантации В+ и последующего отжигаГайдук, П. И.; Гринько, С. Н.; Зайков, В. А.; Новиков, А. Г.; Наливайко, О. Ю.; Пшеничный, Е. Н.
2022Температурная зависимость роста SiC при быстрой вакуумно-термической обработке кремнияЛобанок, М. В.; Моховиков, М. А.; Гайдук, П. И.
2021Технологии СБИС и УБИС : учебная программа учреждения высшего образования по учебной дисциплине специальности 1-31 04 03 Физическая электроника 1-31 04 03 01 Твердотельная электроника №УД - 10254/уч.Гайдук, П. И.
19-ноя-2013Технологии СБИС и УБИС № УД-662/рГайдук, П. И.
Результаты 60 - 79 из 119 < предыдущий   следующий >