Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223412
Заглавие документа: | Структура и фазовый состав тонких пленок SiGe сплавов, полученных методом газофазного осаждения при пониженном давлении |
Авторы: | Зайков, В. А. Новиков, А. Г. Наливайко, О. Ю. Гайдук, П. И. Борисевич, В. М. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2008 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 100-104 |
Аннотация: | В последнее время активно проводятся исследования новых приборов памяти, использующих в качестве элементов хранения заряда нанокристаллы Si или Ge, внедренные в подзатворный диэлектрик МОП транзисторов. Создание таких приборов требует хорошо отработанной технологии осаждения тонких однородных слоев SiGe сплавов. Обычно для получения таких структур используют методы молекулярнолучевой эпитаксии, химического осаждения из газовой фазы в высоком вакууме. Вместе с тем ведется постоянный поиск и разработка новых методов формирования наноразмерных слоев, в том числе совместимых с традиционными технологиями СБИС. В работе изучено влияние условий осаждения на структурно-фазовое состояние пленок SiGe сплавов, их толщину и композиционный состав. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223412 |
ISBN: | 978-985-518-091-4 |
Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
100-104.pdf | 769,61 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.