Структура и фазовый состав тонких пленок SiGe сплавов, полученных методом газофазного осаждения при пониженном давлении

Abstract

В последнее время активно проводятся исследования новых приборов памяти, использующих в качестве элементов хранения заряда нанокристаллы Si или Ge, вне­дренные в подзатворный диэлектрик МОП транзисторов. Создание таких приборов требует хорошо отработанной технологии осаждения тонких однородных слоев SiGe сплавов. Обычно для получения таких структур используют методы молекулярно­лучевой эпитаксии, химического осаждения из газовой фазы в высоком вакууме. Вместе с тем ведется постоянный поиск и разработка новых методов формиро­вания наноразмерных слоев, в том числе совместимых с традиционными техноло­гиями СБИС. В работе изучено влияние условий осаждения на структурно-фазовое состояние пленок SiGe сплавов, их толщину и композиционный состав.