Logo BSU

Просмотр Авторы Власукова, Л. А.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 53 - 61 из 61 < предыдущий 
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2013Формирование излучательных центров в SiO2 при высокодозной имплантации оловаКомаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Мильчанин, О. В.
ноя-2019Формирование нанокластеров ZnSe в диоксиде кремния методом высокодозной ионной имплантации: моделирование и экспериментМоховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Власукова, Л. А.; Wendler, E.
2017Формирование нанокластеров ZnSe и ZnS в слоях SiO2 с использованием режима «горячей» имплантации примесиМоховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Wendler, E.
2004Формирование нанокластеров и нанопор в SiO2 ионно-лучевыми методамиКомаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Мудрый, А. В.; Комаров, А. А.; Мильчанин, О. В.; Гайдук, П. И.; Ювченко, В. Н.; Гречный, С. С.
2005Формирование нанокластеров и нанопор в SiO2 ионно-лучевыми методамиКомаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Мудрый, А. В.; Комаров, А. А.; Мильчанин, О. В.; Гайдук, П. И.; Ювченко, В. Н.; Гречный, С. С.
2021Фото- и электролюминесценция слоев SiO2 , имплантированных высокими дозами ионов оловаРоманов, И. А.; Комаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.
2021Электролюминесценция пленок SiO2 на Si, полученных термическим окислением и плазмохимическим осаждениемРоманов, И. А.; Ковальчук, Н. С.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Солодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Шестовский, Д. В.; Демидович, С. А.
2021Электролюминесценция пленок SiO[2] на Si, полученных термическим окислением и плазмохимическим осаждениемРоманов, И. А.; Ковальчук, Н. С.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Солодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Шестовский, Д. В.; Демидович, С. А.
2017Эффект резистивной памяти в структурах Si/SiNx/ITOРоманов, И. A.; Бирюков, A. A.; Комаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Прокопьев, С. Л.; Пархоменко, И. Н.