Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/191308| Заглавие документа: | Эффект резистивной памяти в структурах Si/SiNx/ITO |
| Авторы: | Романов, И. A. Бирюков, A. A. Комаров, Ф. Ф. Власукова, Л. А. Прокопьев, С. Л. Пархоменко, И. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2017 |
| Издатель: | Минск : РИВШ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника : материалы XI Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 13–17 нояб. 2017 г. / редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.) [и др.]. – Минск : РИВШ, 2017. – С. 130-131. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/191308 |
| ISBN: | 978-985-585-091-5 |
| Располагается в коллекциях: | 2017. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 130-131.pdf | 363,02 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.