Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/191308| Title: | Эффект резистивной памяти в структурах Si/SiNx/ITO |
| Authors: | Романов, И. A. Бирюков, A. A. Комаров, Ф. Ф. Власукова, Л. А. Прокопьев, С. Л. Пархоменко, И. Н. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Issue Date: | 2017 |
| Publisher: | Минск : РИВШ |
| Citation: | Квантовая электроника : материалы XI Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 13–17 нояб. 2017 г. / редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.) [и др.]. – Минск : РИВШ, 2017. – С. 130-131. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/191308 |
| ISBN: | 978-985-585-091-5 |
| Appears in Collections: | 2017. Квантовая электроника |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 130-131.pdf | 363,02 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.