Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/191308
Title: Эффект резистивной памяти в структурах Si/SiNx/ITO
Authors: Романов, И. A.
Бирюков, A. A.
Комаров, Ф. Ф.
Власукова, Л. А.
Прокопьев, С. Л.
Пархоменко, И. Н.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Issue Date: 2017
Publisher: Минск : РИВШ
Citation: Квантовая электроника : материалы XI Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 13–17 нояб. 2017 г. / редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.) [и др.]. – Минск : РИВШ, 2017. – С. 130-131.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/191308
ISBN: 978-985-585-091-5
Appears in Collections:2017. Квантовая электроника

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
130-131.pdf363,02 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.