Формирование излучательных центров в SiO2 при высокодозной имплантации олова

Abstract

В работе показано, что имплантация высоких доз олова (5×1016 cм-2 и 1×1017 cм-2) в слои диоксида кремния и последующая термообработка (800-900°С) приводят к формированию большого количества излучательных центров, что вызывает сильную фотолюминесценцию при комнатной температуре от данных слоев в области спектра света 1,5-3,5 эВ. В спектрах ФЛ четко выражены 3 полосы с максимумами в областях: 1,6 эВ, 2-2,5 эВ и наиболее интенсивная 3-3,2 эВ. Установлено, что с увеличением дозы имплантации олова и температуры термообработок интенсивность фотолюминесценции в области 3-3,2 эВ существенно возрастает.