Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/235635| Заглавие документа: | Формирование нанокластеров ZnSe в диоксиде кремния методом высокодозной ионной имплантации: моделирование и эксперимент |
| Авторы: | Моховиков, М. А. Комаров, Ф. Ф. Комаров, А. Ф. Мильчанин, О. В. Пархоменко, И. Н. Власукова, Л. А. Wendler, E. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | ноя-2019 |
| Издатель: | Минск : РИВШ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника : материалы XII Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–22 нояб. 2019 г. / редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.) [и др.]. – Минск : РИВШ, 2019. – С.159-160. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/235635 |
| ISBN: | 978-985-586-281-0 |
| Располагается в коллекциях: | 2019. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 159_Моховиков.pdf | 592,61 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.