Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/235635
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМоховиков, М. А.-
dc.contributor.authorКомаров, Ф. Ф.-
dc.contributor.authorКомаров, А. Ф.-
dc.contributor.authorМильчанин, О. В.-
dc.contributor.authorПархоменко, И. Н.-
dc.contributor.authorВласукова, Л. А.-
dc.contributor.authorWendler, E.-
dc.date.accessioned2019-12-10T07:46:39Z-
dc.date.available2019-12-10T07:46:39Z-
dc.date.issued2019-11-
dc.identifier.citationКвантовая электроника : материалы XII Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–22 нояб. 2019 г. / редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.) [и др.]. – Минск : РИВШ, 2019. – С.159-160.ru
dc.identifier.isbn978-985-586-281-0-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/235635-
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : РИВШru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleФормирование нанокластеров ZnSe в диоксиде кремния методом высокодозной ионной имплантации: моделирование и экспериментru
dc.typeconference paperru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
Располагается в коллекциях:2019. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
159_Моховиков.pdf592,61 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.