Logo BSU

Browsing by Author Жевняк, О. Г.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 34  next >
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2003Апроксимация начального участка BAX высоколегированного tv-канального МОП-транзистораАндреев, А. Д.; Валиев, А. А.; Мулярчик, С. Г.; Жевняк, О. Г.; Шевкун, И. М.
2003Апроксимация начального участка ВАХ высоколегированного МОП-транзистораАндреев, А. Д.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М.
2003Влияние дозы и энергии имплантированных ионов бора на перенос электронов в n-канале кремниевых короткоканальных МОП-транзисторовБорздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Зезюля, А. В.; Борздов, А. В.; Малышев, В. С.
2003Влияние сегрегации примесей на сквозное обеднение в tv-канальном МОП-транзистореАндреев, А. Д.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М.
2003Влияние сегрегации примеси на сквозное объединение в n-канальном МОП транзистореАндреев, А. Д.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М.
2018Вычислительная микро- и наноэлектроника. №УД - 5452/уч.Жевняк, О. Г.
1999Дрейфовая скорость электронов в высоколегированной подложке кремниевого МОП-ПТАндреев, А. Д.; Борздов, В. М.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Русецкий, А. М.
2003Интенсивности рассеяния вторичных дырок в N-канале кремниевых субмикронных МОП-транзисторовБорздов, В. Н.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Зезюля, А. В.; Комаров, Ф. Ф.; Малышев, В. С.
2003Интенсивности рассеяния вторичных дырок в w-канале кремниевых субмикронных МОП-транзисторовБорздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Комаров, Ф. Ф.; Зезюля, А. В.
2018Моделирование влияния истока и стока на квантование энергии электронов в короткоканальных МОП-транзисторахЖевняк, О. Г.; Жевняк, Я. О.
2014Моделирование методом Монте-Карло влияния глубины залегания стока на перенос электронов и ток стока в субмикронных МОП-транзисторахЖевняк, О. Г.; Шевкун, И. М.
2011Моделирование методом Монте-Карло подвижности электронов вблизи стока в короткоканальных МОП-транзисторах с мелкими и глубокими стокамиЖевняк, О. Г.
2011Моделирование методом Монте-Карло приборных структур СБИС и УБИСБорздов, В. М.; Борздов, А. В.; Поздняков, Д. В.; Жевняк, О. Г.; Сперанский, Д. С.; Комаров, Ф. Ф.
2015Моделирование методом Монте-Карло туннельного тока в субмикронных МОП-транзисторах.Жевняк, О. Г.
2010Моделирование методом Монте-Карло электронного переноса в ультра короткоканальных МОП-транзисторахЖевняк, О. Г.
2006Моделирование переходных процессов в GaAs-квантовой проволоке с учетом уширения энергетических уровнейЖевняк, О. Г.; Поздняков, Д. В.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Галенчик, В. О.
2014Моделирование полевых КНИ-нанотранзисторов : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель В. М. БорздовБорздов, В. М.; Жевняк, О. Г.; Борздов, А. В.
22-Nov-2013Моделирование технологий и приборов электроники № УД-604/рЖевняк, О. Г.
2001Моделирование технологических процессов и приборных структур в микро- и наноэлектроникеКомаров, Ф. Ф.; Борздов, В. М.; Комаров, А. Ф.; Жевняк, О. Г.; Галенчик, В. О.; Миронов, A. М.
2016Моделирование электронных свойств при поверхностном переносе в короткоканальных МОП-транзисторахЖевняк, О. Г.