Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215241| Заглавие документа: | Моделирование влияния истока и стока на квантование энергии электронов в короткоканальных МОП-транзисторах |
| Другое заглавие: | Simulation of source and drain effect on electron energy quantization in short-channel MOSFETs / O. G. Zhevnyak, Ya. O. Zhevnyak |
| Авторы: | Жевняк, О. Г. Жевняк, Я. О. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 239-243. |
| Аннотация: | С помощью моделирования электронного переноса в короткоканальных МОП-транзисторах методом Монте-Карло рассмотрено влияние глубины залегания истоковой и стоковой областей, а также напряжения на стоке на формирование низкоразмерного электронного газа в такого рода транзисторах. Показано, что для большинства рассмотренных случаев данный газ не формируется, так как потенциальная яма у поверхности кремния оказывается слишком широкой. |
| Аннотация (на другом языке): | The effect of source and drain region as well as drain bias on formation of low-dimensional electron gas in short-channel MOSFETs is studied by using Monte Carlo simulation of electron transport. It is shown that such gas is not formed for many considered cases because the potential well is too wide at silicon surface. |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215241 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 239-243.pdf | 359,96 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.