Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215241
Title: Моделирование влияния истока и стока на квантование энергии электронов в короткоканальных МОП-транзисторах
Other Titles: Simulation of source and drain effect on electron energy quantization in short-channel MOSFETs / O. G. Zhevnyak, Ya. O. Zhevnyak
Authors: Жевняк, О. Г.
Жевняк, Я. О.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2018
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 239-243.
Abstract: С помощью моделирования электронного переноса в короткоканальных МОП-транзисторах методом Монте-Карло рассмотрено влияние глубины залегания истоковой и стоковой областей, а также напряжения на стоке на формирование низкоразмерного электронного газа в такого рода транзисторах. Показано, что для большинства рассмотренных случаев данный газ не формируется, так как потенциальная яма у поверхности кремния оказывается слишком широкой.
Abstract (in another language): The effect of source and drain region as well as drain bias on formation of low-dimensional electron gas in short-channel MOSFETs is studied by using Monte Carlo simulation of electron transport. It is shown that such gas is not formed for many considered cases because the potential well is too wide at silicon surface.
Description: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215241
ISBN: 978-985-566-671-5
Appears in Collections:2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
239-243.pdf359,96 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.