Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257342| Заглавие документа: | Моделирование двумерных распределений подвижности электронов в элементах флеш-памяти |
| Другое заглавие: | Simulation of two-dimensional distributons of electron mobility in flash-memory cells / O. G. Zhevnyak, Ya. O. Zhevnyak |
| Авторы: | Жевняк, О. Г. Жевняк, Я. О. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 345-348. |
| Аннотация: | Надёжная работа элементов флеш-памяти ограничена деградацией его характеристик, прежде всего, уменьшением подвижности электронов и наличием паразитных токов. В данной работе проведено численное моделирование электронного переноса в элементах флеш-памяти на основе МОП-транзисторов с плавающим затвором для разных режимов считывания информации. Рассчитаны значения паразитных токов и построены двумерные распределения величины подвижности электронов. Показано, что минимальное значение подвижности наблюдается в области вблизи поверхности раздела Si/SiO2, откуда и формируется паразитный туннельный ток |
| Аннотация (на другом языке): | Reliable operation of flash-memory cells are limited by degradation of some characteristics, primarily electron mobility lowering and parasitic current growth. In present work the electron transport in flash-memory cells based on MOS-transistors with floating gate has been simulated. The values of parasitic current as well as two-dimensional distributions of electron mobility have been calculated. It is shown that minimal value of mobility takes place at Si/SiO2 border |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257342 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 345-348.pdf | 571,03 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.