Моделирование методом Монте-Карло влияния глубины залегания стока на перенос электронов и ток стока в субмикронных МОП-транзисторах

Abstract

Исследовано влияние глубины залегания стока в субмикронном МОП-транзисторе на ток стока и подвижность электронов в нем. В качестве основного метода исследования использовано кинетическое моделирование переноса электронов в проводящем канале МОП-транзистора на основе метода Монте-Карло. Только данный метод позволяет точно учесть влияние размеров области стока на изменение концентрации электронов и их подвижности вблизи данной области. Полученные результаты моделирования показывают, что с ростом глубины залегания стока подвижность электронов у стока почти не изменяется, тогда как величина тока стока заметно увеличивается. Это связано с изменением размеров обедненной области стока, которое практически не сопровождается усилением разогрева электронов. = In present paper the effect of drain depth on drain current as well as electron mobility at the drain region is investigated. Monte Carlo simulation of electron transport in conducting channel of studied MOSFET’s is chosen as a basic method for investigation. Only this method allows studying adequately the effect of drain depth on a change of electron concentration and mobility near the drain. Obtained simulation data prove that the increasing of drain depth is accompanied by the unsignificant change of electron mobility and the significant growth of drain current. It is connected with the change of sizes of depleted drain region which does not lead to electron heating.