Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/7167| Title: | Разработать физико-технологические основы формирования легированных областей для субмикронных полупроводниковых приборов с использованием высокоэнергетической ионной имплантации и дополнительного введения нетрадиционных примесей в процессе эпитаксиального наращивания : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. В. С. Просолович |
| Authors: | Просолович, В. С. Янковский, Ю. Н. Петров, В. В. Бринкевич, Д. И. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2010 |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/7167 |
| Registration number: | 20062731 |
| Appears in Collections: | Отчеты 2010 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Отчет-Просолович 20062731.doc | 4,01 MB | Microsoft Word | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.