Разработать физико-технологические основы формирования легированных областей для субмикронных полупроводниковых приборов с использованием высокоэнергетической ионной имплантации и дополнительного введения нетрадиционных примесей в процессе эпитаксиального наращивания : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. В. С. Просолович

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/7167

Title:	Разработать физико-технологические основы формирования легированных областей для субмикронных полупроводниковых приборов с использованием высокоэнергетической ионной имплантации и дополнительного введения нетрадиционных примесей в процессе эпитаксиального наращивания : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. В. С. Просолович
Authors:	Просолович, В. С. Янковский, Ю. Н. Петров, В. В. Бринкевич, Д. И.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2010
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/7167
Registration number:	20062731
Appears in Collections:	Отчеты 2010

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Отчет-Просолович 20062731.doc		4,01 MB	Microsoft Word	View/Open