Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/7167
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorПросолович, В. С.-
dc.contributor.authorЯнковский, Ю. Н.-
dc.contributor.authorПетров, В. В.-
dc.contributor.authorБринкевич, Д. И.-
dc.date.accessioned2012-04-19T06:43:45Z-
dc.date.available2012-04-19T06:43:45Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.other20062731-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/7167-
dc.language.isoruru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleРазработать физико-технологические основы формирования легированных областей для субмикронных полупроводниковых приборов с использованием высокоэнергетической ионной имплантации и дополнительного введения нетрадиционных примесей в процессе эпитаксиального наращивания : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. В. С. Просоловичru
dc.typereportru
Располагается в коллекциях:Отчеты 2010

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Отчет-Просолович 20062731.doc4,01 MBMicrosoft WordОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.