Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/7167| Заглавие документа: | Разработать физико-технологические основы формирования легированных областей для субмикронных полупроводниковых приборов с использованием высокоэнергетической ионной имплантации и дополнительного введения нетрадиционных примесей в процессе эпитаксиального наращивания : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. В. С. Просолович |
| Авторы: | Просолович, В. С. Янковский, Ю. Н. Петров, В. В. Бринкевич, Д. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2010 |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/7167 |
| Регистрационный номер: | 20062731 |
| Располагается в коллекциях: | Отчеты 2010 |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Отчет-Просолович 20062731.doc | 4,01 MB | Microsoft Word | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.