Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48836| Заглавие документа: | ТУННЕЛЬНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ МЕЖДУ СЛОЯМИ БИСЛОЯ ГРАФЕНА |
| Авторы: | Поклонский, Н. А. Кисляков, Е. Ф. Сягло, А. И. Вырко, С. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2010 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 80-85. |
| Аннотация: | Методом Бардина теоретически исследовался ток между двумя слоями графена в бислое графена в направлении, перпендикулярном плоскости бислоя. Проведенные расчеты туннельного тока могут быть применены для произвольного положения слоев друг относительно друга и разных расстояний между слоями. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48836 |
| ISBN: | 978-985-476-885-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2010. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Н.А. Поклонский, Е.Ф. Кисляков, А.И. Сягло, С.А. Вырко.pdf | 454,77 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.