Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/48836
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПоклонский, Н. А.-
dc.contributor.authorКисляков, Е. Ф.-
dc.contributor.authorСягло, А. И.-
dc.contributor.authorВырко, С. А.-
dc.date.accessioned2013-10-11T09:44:40Z-
dc.date.available2013-10-11T09:44:40Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 80-85.ru
dc.identifier.isbn978-985-476-885-4-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/48836-
dc.description.abstractМетодом Бардина теоретически исследовался ток между двумя слоями графена в бислое графена в направлении, перпендикулярном плоскости бислоя. Проведенные расчеты туннельного тока могут быть применены для произвольного положения слоев друг относительно друга и разных расстояний между слоями.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleТУННЕЛЬНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ МЕЖДУ СЛОЯМИ БИСЛОЯ ГРАФЕНАru
dc.typeconference paperru
Appears in Collections:2010. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Н.А. Поклонский, Е.Ф. Кисляков, А.И. Сягло, С.А. Вырко.pdf454,77 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.