Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48790
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | - |
dc.contributor.author | Просолович, В. С. | - |
dc.contributor.author | Янковский, Ю. Н. | - |
dc.contributor.author | Вабищевич, Н. В. | - |
dc.contributor.author | Вабищевич, С. А. | - |
dc.date.accessioned | 2013-10-10T16:04:38Z | - |
dc.date.available | 2013-10-10T16:04:38Z | - |
dc.date.issued | 2010 | - |
dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 38-43. | ru |
dc.identifier.isbn | 978-985-476-885-4 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48790 | - |
dc.description.abstract | В настоящей работе исследована микротвердость эпитаксиальных слоев (ЭС) кремния, полученных методами газофазной и жидкофазной эпитаксии. Газофазная эпитаксия (ГФЭ) осуществлялась на стандартной промышленной установке при температуре 1150–1180 оС. Скорость роста ЭС составляла 0,8–1,0 мкм/мин. Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ) проводилась посредством кристаллизации из растворов-расплавов на основе олова. Установлено, что прочностные характеристики ЭС существенно зависят от метода получения (газофазная или жидкофазная эпитаксия) и определяются их дефектно-примесным составом. Показано, что технологические примеси и дислокации упрочняют эпитаксиальные структуры. Добавление в раствор-расплав примеси Yb снижает микротвердость выращиваемых эпитаксиальных пленок. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Издательский центр БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ФИЗИКО-МЕХАНИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ ГАЗОФАЗНОЙ И ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИЕЙ | ru |
dc.type | conference paper | ru |
Располагается в коллекциях: | 2010. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Д.И. Бринкевич, В.С. Просолович, Ю.Н. Янковский, Н.В. Вабищевич, С.А. Вабищевич.pdf | 239,49 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.