Отрицательная емкость (импеданс индуктивного типа) кремниевых p+-n-переходов, облученных быстрыми электронами

Abstract

Исследовались кремниевые диоды с p+-n-переходом, облученные быстрыми электронами (энергия E=3.5 МэВ, флюенс Phi=4·1016 см-2). Индуктивность диодов (L) измерялась на частоте f=1 МГц при амплитуде переменного тока 0.25 мА. Одновременно с измерением L на переменном токе через включенный в прямом направлении диод пропускался постоянный ток, что приводило к инжекции в базу неосновных носителей заряда. Для выяснения механизмов возникновения импеданса индуктивного типа в облученных диодах с p+-n-переходом, а также для идентификации основных радиационных дефектов, непосредственно принимающих участие в его возникновении, был проведен изохронный отжиг в диапазоне температур Ta=225-375oC с последующим исследованием основных характеристик дефектов методом нестационарной емкостной спектроскопии (DLTS). Показано, что импеданс индуктивного типа в облученных диодах определяется процессами захвата и удержания инжектированных в базу носителей заряда на центрах прилипания в течение времени ~1/2f, т. е. полупериода колебаний. Показано также, что центрами прилипания являются комплексы вакансия—кислород, вводимые облучением.